IC-Hersteller Nexperia

IC-Hersteller (104)

Nexperia GAN039-650NTB(A) | Demoboard NX-DP-GAN039-TSC

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung450 V
Ausgang 1450 V
IC-Revision1.0

Beschreibung

The NX-DP-GAN039-TSC half-bridge evaluation board enables double-pulse testing of GaN FETsin a top-side cooled copper-clip package (CCPAK). It is optimized for low inductance and features ahigh bandwidth current shunt that can be used to evaluate the switching performance with maximumprecision. In addition, it can be used for thermal investigations and continuous operation up to severalkilowatts. This user manual aims to support laboratory setup of the evaluation board and gives and anoverview on testing capabilities and typical results.

Eigenschaften

  • Very low switching losses
  • Rugged gate with high threshold voltage, Vth = 4 V, enables single supply gate drive voltage0 V…10 - 12 V.
  • Very good QGD/QGS << 1 ratio, protects against parasitic turn-on
  • Minimal reverse-recovery
  • Very low Rth in top-side cooling for SMD
  • Best in class third-quadrant off-state conduction performance for wide-bandgap devices
  • Very low package inductance (≈1.3 nH @ 100 MHz)

Typische Anwendungen

  • Bridgeless totempole PFC
  • PV and UPS inverters
  • Servo motor drives, Hard and soft switching converters for industrial and datacom power

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieISAT,10%
(A)
ISAT,30%
(A)
fres
(MHz)
IRP,40K
(A)
MontageartλDom typ.
(nm)
FarbeλPeak typ.
(nm)
IV typ.
(mcd)
VF typ.
(V)
Chiptechnologie50% typ.
(°)
CTol. CBauformDF
(%)
RISOKeramiktypL
(mm)
W
(mm)
Fl
(mm)
VerpackungSchlüsselweite
(mm)
ToPins
(pcs)
Raster
(mm)
ReihenGenderTypArbeitsspannung
(V (AC))
PCB/Kabel/PanelKontaktwiderstand
(mΩ)
Tol. RH
(mm)
Ø OD
(mm)
IR 1
(A)
TiTl
(mm)
WicklungstypL
(µH)
Z @ 100 MHz
(Ω)
IR
(mA)
RDC max.
(mΩ)
VR
(V)
VT
(V (AC))
Muster
78438336047SPEC
9 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-MAIA SMT Speicherdrossel 2.4 5.15 30 2.4 SMT 3020 3 3 2 2 bifilar 4.7 158
744235801SPEC
9 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-CNSW Stromkompensierter SMT Line Filter SMT 1812 4.5 3.2 4 2.8 bifilar 1.3 800 1000 120 60 125
150080VS75000SPEC
7 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear SMT 570 Hellgrün 572 40 2 AlInGaP 140 0805 2 1.25 Tape and Reel 0.7
61900311121SPEC
7 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WR-WTB 2.54 mm Male Header THT1000 MΩ 7.62 Beutel 3 2.54 Männlich Vertikal 250 PCB 20 max. 3 3000
971650485SPEC
3 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WA-SPAIE Plastic Spacer Stud, metric, internal/ external 65 Beutel 8 M4 M4
61300211121SPEC
7 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WR-PHD Pin Header - Single THT1000 MΩ 5.08 Beutel 2 2.54 Single Pin Header Gerade 250 20 max. 3000
61300311121SPEC
7 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WR-PHD Pin Header - Single THT1000 MΩ 7.62 Beutel 3 2.54 Single Pin Header Gerade 250 20 max. 3000
885342208021SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-CSMH Mid and High Voltage10 nF ±10% 1206 2.510 GΩ X7R Klasse II 3.2 1.6 0.6 7" Tape & Reel 1.25 1000
746600330RSPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WP-SMBU REDCUBE SMT with internal through-hole thread SMT Tape and Reel 3 7 50 M3 4 50000
Muster
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieISAT,10%
(A)
ISAT,30%
(A)
fres
(MHz)
IRP,40K
(A)
MontageartλDom typ.
(nm)
FarbeλPeak typ.
(nm)
IV typ.
(mcd)
VF typ.
(V)
Chiptechnologie50% typ.
(°)
CTol. CBauformDF
(%)
RISOKeramiktypL
(mm)
W
(mm)
Fl
(mm)
VerpackungSchlüsselweite
(mm)
ToPins
(pcs)
Raster
(mm)
ReihenGenderTypArbeitsspannung
(V (AC))
PCB/Kabel/PanelKontaktwiderstand
(mΩ)
Tol. RH
(mm)
Ø OD
(mm)
IR 1
(A)
TiTl
(mm)
WicklungstypL
(µH)
Z @ 100 MHz
(Ω)
IR
(mA)
RDC max.
(mΩ)
VR
(V)
VT
(V (AC))
Muster